Silicon Carbide fir nei Energiesprooche gëtt erwaart

De Milizis war ëmmer dat meescht benotzt Material fir d'Fabrikatioun vun der Semaconists-Chips, haaptsächlech duerchgläich wéinst der grousser Reservéierergräifung relaxesch. Déi enorm, d'Uwendung vu Slicon am Fach vun vun opoletzeren, déi sech net passéiert méi héichgläichgewëss an héijer Schëssehuelen vun den Héiferensqualitéit. Dës Erausfuerderungen hunn ëmmer ëmmer méi schwéier fir silikon-baséiert Ausbau vun den Haaptreibedierfnungen ze treffen wéi nei Energie Gefierer an Héichproduktiounsaushéigend.

An dësem Kontext, De Sodicon Carbide ass an d'Spéit an d'Spéit komm. Einfachheet, déi éischt thermesch Erléisung Hallefinalitéitstraterial ass, huet d'Dem Séséaly an héich Mobilitéit. Déi kritesch Réckstëlleren, a reduzéiert den Elektiniséiergang vum Si-AAX. Koppel mat enger méi héijer thermescher Rendezinitéit wéi CU, d'Apparat net zousätzlech Hëtzt Dissiplikatioun Geräter ze benotzen, déi gesamt Maschinngréisst ze reduzéieren. Nieft huet seicisär gi ganz niddereger Lagerfance verdelach a de benotze hëllefe gutt elektrescht Impressioun zu ultra-héich Frequenz. Zum Beispillus, ass et net op enger ënnerschiddlech Léisung op Basislaterial vun engem zwee Niveauen Léisung baséiert op Suchte un den Emgorprieche ronderëm a 40% reduzéieren. Dofir hunn se gutt Virdeeler an enger indemorm, miniuéiert Applikatiounen.

Am Verglach mam traditionelle Silicon, d'Benotzung vun der Verzeechnung vum Siliconkide ass besser wéi dee vu Semicon, wat kann zréck, héichem Flëssegkeet oder aner Bedéngungsprobleem ginn Rf Geräter a Kraaftapparater.

	B a Spalt / EV	Elektron Mobilit y (cm2 / vs)	Breako wn Voltag e (Kv / mm)	Thermal Conditivit y (W / mk)	Dielec tric konstant	Theoretesch maximal Operatioun Temperatur (° C)
Sic	3.2	1000	2.8	4.9	9.7	600
Gan	3.42	2000	3.3	1.3	9.8	800
GAAKAS Dogas	1.42	8500	0,4	0,5	13.1	350 Auer
SI	1.12	600	0,4	1,5	11.9	175

Silizonebett Materialie kënnen d'Gréisst am Plai doheem ganz einfach hunn, an d'Performance ass ëmmer besser a besser, sou an de rezentene Gefierer ze fartéieren. No 1350mm ass eng 5 tkCDC / DCRec crektor ew de Schloofbuede vum Secale Kader reduzéiert an de Volumenium an vun de Sodizcage reduzéiert an de Volumen-Gerzelen reduzéiert gouf. D'Gréisst vum sic Apparat ass nëmmen 1/10 vun deem vum Silik Apparat vun der selwechter Spezifizéierung, an d'Energiefort vum SI Carcitt Moscet Muerten ass et net manner wéi 1/4 baséiert bréngt bedeitend Leeschtung Verbesserunge bis zum Schlussprodukt.

Silicon Carbide ass eng aner nei Uwendung zu Keramik Substrat fir nei Energie Gefierer es .